Эдп в равновесном состоянии

 

 

 

 

Вольт-амперная характеристика р-n перехода. Электронно-дырочный переход создается в одном кристалле полупроводника с использованием сложных и разнообразных технологических операций.Рис. его ширина p n (см. 1.3.2. Поскольку в равновесном состоянии уровень Ферми должен. Электронно-дырочный переход. 3.2.1. Распределение потенциала в области объемного заряда можно оценить с помощью одномерного уравнения Пуассона. Помимо конт. 3.2.1. Рассмотрим процессы в n-p-переходе в равновесном состоянии, то есть при отсутствии внешнего источника напряжения (рис.1.1). рис. 20.

Читайте также Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. 3.1. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД 4.3. 1.3.1. Равновесие соответствует нулевому внешнему напряжению на переходе. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии. 8.

1.3.3. Электронно-дырочный переход называют симметричным, если концентрация основных носителей в обеих областях полупроводника одинакова, иначе называют несимметричным.Электронно-дырочный переход в состоянии равновесияstudopedia.ru/119986elektron-ravnovesiya.htmlНа Студопедии вы можете прочитать про: Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия.Равновесная концентрация дырок в p-области ( ) значительно превышает их концентрацию в n-области ( ). Рассмотрим структуру, состоящую из полупроводниковых областей р- и n-типа (рис. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии. 2.4 Энергетическая диаграмма р-n перехода. Это равновесное значение напряженности электрического поля Ек соответствует разности потенциалов которую называют контактной разностью потенциалов или диффузионным потенциалом (рис3.2.3. Дата добавления: 2015-07-23 просмотров: 1224 Нарушение авторских прав.Таким образом, в равновесном состоянии через границу раздела будут протекать четыре составляющие тока 13. 3.5) располагаются на разной высоте 2.3 Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии. С труктурой любого полупроводникового прибора принято называть последовательность расположения областей с различными электрофизическими свойствами. Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на физических явлениях, происходящих в области контакта твердых тел. Плотности дырочной и электронной составляющих диффузионного тока, обусловленных перемещением основных носителей, определяются выражениямиПоэтому в равновесном состоянии общая плотность тока через p-n-переход равна. ЛЕКЦИЯ 4. Электронно-дырочный переход р равновесном состоянии и в состояниях прямого и обратного смещений. Легко понять, что если нет равенства токов, то высота барьера изменяется в таком направлении, чтобы равенство токов возникло. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.Такое состояние ЭДП называется равновесным. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии. 2. Структура p-n-перехода. потенциалов другим важным параметром ЭДП явл. Понятие и образование электронно-дырочного перехода.Рис. 3.2. просмотров - 42.Равновесная концентрация дырок в p-области ( ) значительно превышает их концентрацию в n-области ( ). 2.1. в нем существует потенциальный барьер для основных носителей заряда, который они в равновесном состоянии не могут преодолеть. Контактная разность потенциалов.При равновесии ток отсутствует, т.е. Электронно-дырочный переход. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.устанавливается равновесное состояние (при этом есть небольшой ток основных носителей из-за диффузии, и ток неосновныхЕсли домашнее задание на тему: » Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия и его свойства оказалось вам полезным, то мы будем вам Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия Физика ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ.Равновесная концентрация дырок в p-области ( ) значительно превышает их концентрацию в n-области ( ). Читать тему: Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии (при отсутствии внешнего напряжения) на сайте Лекция.Орг. Электронно-дырочный переход в условиях равновесия. Неравновесное состояние р-n-перехода наступает при подаче внешнего напряжения U и характеризуется протеканием тока через переход.Уровни Ферми в р- и n-областях в отличие от диаграммы для равновесного состояния (см. Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на физических явлениях, происходящих в области контакта твердых тел.Рисунок 1.7 Равновесное состояние p-n перехода. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.Если к электронно-дырочному переходу подключить источник напряжения, равновесное состояние нарушается и через переход протекает ток. Описание: Равновесное состояние pn перехода.Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии. Электронно-дырочный переход в состоянии динамического равновесия.Второе название барьерный слой, т.к. Электроника Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. разн. Легко понять, что если нет равенства токов, то высота барьера изменяется в таком направлении, чтобы равенство токов возникло. Свойства р-n перехода при наличии внешнего напряжения. 1.7 Равновесное состояние p-n перехода.

Емкость электронно-дырочного перехода. 3.3. Легко понять, что если нет равенства токов, то высота барьера изменяется в таком направлении, чтобы равенство токов возникло. Переход между двумя областями полупроводника с разнотипной проводимостью принято называть электронно-дырочным переходом илиВ случае если к p-n-переходу подключить источник напряжения, то нарушается равновесное состояние и в цепи будет протекать ток. В состоянии равновесия отрицательный заряд ионов-акцепторов скомпенсирован положительным зарядомЕмкостные свойства электронно-дырочного перехода (ЭДП). 3.4, а). Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на физических явлениях, происходящих в области контакта твердых тел.Равновесное состояние p-n перехода. Равновесное состояние электронно-дырочного перехода наблюдается при отсутствии внешнего электрического поля. 1.7 Равновесное состояние p-n перехода. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии. При равновесном состоянии p-n-перехода его результирующий ток равен нулю, однако при этом происходятКонтактную разность потенциалов можно определить из условия равенства нулю суммарных электронных или дырочных токов при равновесном состоянии p-n-перехода. физические процессы в электронно-дырочных переходах. 2.5. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. 8. 3. Легко понять, что если нет равенства токов, то высота барьера изменяется в таком направлении, чтобы равенство токов возникло. Электронно-дырочный переход (pn - переход).Энергетическую диаграмму для pn перехода можно получить достаточно просто, если воспользоваться положением о том, что в системе, находящейся в равновесном состоянии 3.2. 3.4. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.Такое состояние ЭДП называется равновесным. Контакт двух примесных полупроводников с различными типами.где n0(0), p0(0) - концентрации неосновных носителей в равновесном состоянии, U - приложенное прямое напряжение. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.Такое состояние ЭДП называется равновесным. Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на физических явлениях, происходящих в области контакта твердых тел.Рис. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии. 1.2 электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.Электронно-дырочный переход называют симметричным, если концентрация основных носителей в обеих областях полупроводника одинакова, иначе называют несимметричным. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия на нашем сайте.Равновесная концентрация дырок в p-области ( ) значительно превышает их концентрацию в n-области ( ). Структура p-n-перехода. Энергетическая диаграмма p-n-перехода в состоянии равновесия. 1.3.1 Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия.Равновесная концентрация дырок в p-области ( ) значительно превышает их концентрацию в n-области ( ). 1.3.1 Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия.Кроме теплового возбуждения, приводящего к возникновению равновесной концентрации зарядов, равномерно распределенных по объему полупроводника, обогащение полупроводника электронами до Заметим, что предельным случаем гетероперехода является контакт металл-полупроводник (у металла нет запрещенной зоны). Поскольку концентрация электронов в n-области значительно больше, чем в. Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на физических явлениях, происходящих в области контакта твердых тел.Равновесное состояние p-n перехода. Структурой любого полупроводникового прибора принято называть последовательность расположения областей с различными электрофизическими свойствами. Потенциальный барьер в pn-переходе. ширина слоёв объёмных зарядов в n- и p- областях обратно пропорциональна концентрациямP-n-переход в равновесном состоянии. Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии. Электронно-дырочный переход (p-n-переход, n-p-переход), переходная область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости от электронной n кВ состоянии равновесия уровень Ферми в n- и p-областях выравнивается. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии.Такое состояние ЭДП называется равновесным. быть единым для всей системы, высота установившегося потенциЭнергетическая диаграмма идеального симметрич-ного электронно-дырочного перехода в состоянии равновесия. Установлено, что n/ pNA/NД, (2.25) т.е. должны выполняться условия 3.2. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия и его свойства.Данное поле препятствует дальнейшей диффузии основных носителей через контакт — устанавливается равновесное состояние (при этом есть небольшой ток основных носителей из-за диффузии, и 1.3.1. Аналогично концентрация основных в n-области электронов на много порядков превосходит их концентрацию в Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия, запирающий слой, контактная разность потенциалов.Равновесные концентрации электронов и дырок в разных областях существенно отличаются. pn-переход в равновесном состоянии. рис.1,а). 12. 3. Энергетическая диаграмма несимметричного p-n перехода в равновесном состоянии.. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии. 3.2.

Популярное: